摘要: 日前,据韩媒报道,10月内存半导体DRAM价格下跌近10%,这说明对四季度DRAM市场出峰的担忧正在成为现实。 根据TrendForce数据显示,10月PC用通用DRAM产品成交价为3.71美元,较上季度下降0.3...
日前,据韩媒报道,10月内存半导体DRAM价格下跌近10%,这说明对四季度DRAM市场出峰的担忧正在成为现实。 根据TrendForce数据显示,10月PC用通用DRAM产品成交价为3.71美元,较上季度下降0.39美元,较上季度下降9.51%今年1月以来,DRAM价格保持上涨趋势,这是全年首次降价 半导体市场研究公司DIRAMEXCBAIX的数据显示,PC用DRAM通用产品现货价格较今年3月底高点下跌36%。此外,与上一代DRAM相比,14nm工艺有助于将功耗降低近20%。 半导体现货价格是通过代理机构进行的临时交易,不同于与三星电子或SK海力士签订的长期合同的固定交易价格但现货价格以固定成交价为先,并以一定时间差趋于收敛,因此被解读为固定成交价下跌的前兆 10月,DRAM价格暴跌,原因是PC厂商担心供应链产能不足导致供需受挫,提前保证了数量,导致库存增加事实上,SK HYNIX在26日公布的第三季度财报中表示,PC需求在减少,部分客户计划先耗尽库存,因此很难长时间协商价格 目前PC厂商有库存约12~14周除了PC行业,智能手机行业半导体器件短缺导致成品生产受挫,这也影响了存储半导体最近几天,苹果将今年IPHONE13的出货目标从原来的9000万台下调至8000万台 不过,三星电子内存战略营销办公室主任韩振万在28日的业绩公告中表示,客户和公司对内存市场的未来存在意见分歧,价格谈判有点困难与过去相比,内存周期和波动幅度有所减少,三星电子的库存也很低,所以目前的情况并不是很令人担忧 根据消息显示,三星电子和SK海力士为了应对未来内存市场的变化,将半导体库存水平降至最低,并根据行业变化迅速重组产品组合,同时降低成本,提高盈利能力。通过在14纳米动态随机存取存储器中增加五个EUV层,三星实现了超高的位密度,并将整体晶圆生产率提高了约20%。 为了应对内存的不确定性,三星电子计划通过14 nm DRAM和第七代176层NAND Flash生产线进一步提高半导体的成本竞争力。。 最近几天,三星电子投入量产业界最小线宽14 nm DRAM,共5层采用EUV技术,实现了行业领先的晶圆密度晶圆中的DRAM数量较前代增加约20%,大大降低了晶圆成本 SK海力士还表示,短期内DRAM市场存在高度不确定性SK海力士还推动了以盈利为中心的运营,而不是通过规模经济来争夺市场份额 。 中国商业网资讯门户;更多内容请关注中国商业网各频道、栏目资讯免责声明:凡本站注明 “来自:(非中国商业网)”的新闻稿件和图片作品,系本站转载自其它媒体,转载目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责 |
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