据外媒报道，今天，存储芯片制造商三星电子宣布，已开始使用极紫外光刻技术大规模生产业内最小的14 nm DRAM芯片。

三星电子表示，EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤，提高了图案绘制的准确性，从而提高了性能和产量，缩短了开发时间。

凭借最新的DDR5标准，三星14 nm DRAM将有助于解锁前所未有的7.2Gbps速度，这是DDR4速度的两倍多。

该公司表示，将很快开始批量生产DDR5，并预计最新技术将提高20%的生产率，降低近20%的功耗。

根据消息显示，三星是全球最大的存储芯片和智能手机制造商之一在最近几天举行的代工论坛上，该公司宣布将从2025年开始批量生产2nm芯片，并计划从2022年上半年开始生产客户设计的3nm芯片第二代3nm芯片预计在2023年生产